pp电子游戏官网PP电子官方平台ღ✿！pp电子APPღ✿，pp电子官网ღ✿！电子元件ღ✿，电源管理芯片（Power Management Integrated Circuits）ღ✿，是在电子设备系统中担负起对电能的变换ღ✿、分配PP电子(中国)官方网站ღ✿、检测及其他电能管理的职责的芯片ღ✿。主要负责识别CPU供电幅值ღ✿，产生相应的短矩波ღ✿，推动后级电路进行功率输出

　　工采网代理的电机驱动芯片 - SS8812T为打印机和其它电机一体化应用提供一种双通道集成电机驱动方案ღ✿。SS8812T有两路H桥驱动PP电子(中国)官方网站ღ✿，每个H桥可提供较大输出电流1.6A (在24V和Ta=25C适当散热条件下)PP电子(中国)官方网站ღ✿，可驱动两个刷式直流电机ღ✿，或者一个双极步进电机ღ✿，或者螺线管或者其它感性负载

　　小型封装内置第4代SiC MOSFETღ✿，实现业界超高功率密度玛雅论坛最新PP电子(中国)官方网站ღ✿，助力xEV逆变器实现小型化玛雅论坛最新ღ✿！

　　全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器ღ✿，开发出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack”ღ✿，共4款产品（750V 2个型号ღ✿：BSTxxxD08P4A1x4ღ✿，1

　　ROHM推出全新Power Stage ICღ✿：可替代Si MOSFETღ✿，器件体积减少99％

　　近年来ღ✿，为了实现可持续发展的社会ღ✿，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求ღ✿。针对这种需求ღ✿，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望ღ✿。在此背景下ღ✿，全球知名

　　安森美 （onsemi） M3S EliteSiC MOSFET 让车载充电器升级到 800V 电池架构

　　作者ღ✿：安森美产品推广工程师Vladimir Halaj自电动汽车 （EV） 在汽车市场站稳脚跟以来ღ✿，电动汽车制造商一直在追求更高功率的传动系统PP电子(中国)官方网站ღ✿、更大的电池容量和更短的充电时间ღ✿。为满足客户需求和延长行驶里程PP电子(中国)官方网站ღ✿，电动汽车制造商不断增加车辆的电池容量

　　Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET（ASFET）ღ✿，管脚尺寸缩小60％

　　RDS（on）额外降低40％ღ✿，功率密度提高58倍ღ✿，适合电信和热插拔计算应用奈梅亨PP电子(中国)官方网站ღ✿，2023年3月22日ღ✿：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用

　　英飞凌推出PQFN 封装ღ✿、双面散热ღ✿、25－150V OptiMOS 源极底置功率MOSFET

　　【2023年01月13日ღ✿，德国慕尼黑讯】未来电力电子系统的设计将持续推进ღ✿，以实现最高水平的性能和功率密度ღ✿。为顺应这一发展趋势ღ✿，英飞凌科技有限公司（FSE代码ღ✿：IFX ／ OTCQX代码ღ✿：IFNNY）推

　　Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET （ASFET）ღ✿，SOA性能翻倍

　　全面优化12V热插拔和软启动应用中控制浪涌电流的RDS（on）和SOA奈梅亨ღ✿，2022年11月18日ღ✿：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合ღ✿，推出10款全面优化的25V和30V器件

　　适用于热插拔的Nexperia新款特定应用MOSFET （ASFET）将SOA增加了166％ღ✿，并将PCB占用空间减小80％

　　（企业供图）新推出的80 V和100 V器件最大限度降低额定值ღ✿，并改善均流玛雅论坛最新玛雅论坛最新ღ✿，从而提供最佳性能ღ✿、高可靠性并降低系统成本奈梅亨玛雅论坛最新ღ✿，2021年8月4日ღ✿：基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新款

　　Nexperia位于曼彻斯特的新8英寸晶圆生产线启动ღ✿，首批产品为行业领先的Qrr品质因数80 V／100 V MOSFET

　　新生产线提高了产能ღ✿，力求满足及时供应奈梅亨ღ✿，2021年6月24日ღ✿：基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布ღ✿，位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆生产线启动ღ✿，首批产品使用最新的NextPower芯片技术的低RDS（on）和低Qrr ღ✿，80 V和100 V MOSFET

　　Nexperia新型40 V低RDS（on） MOSFET助力汽车和工业应用实现更高功率密度

　　领先的SOA和雪崩特性提高了耐用性和可靠性奈梅亨ღ✿，2021年5月27日ღ✿：基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新型0．55 m? RDS（on） 40 V功率MOSFETღ✿，该器件采用高可